型号:  AFT05MP075NR1

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  3 A

Vds-漏源极击穿电压:  - 500 mV, 40 V

增益:  18.5 dB

输出功率:  76 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-270-WB-4

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

工作频率:  136 MHz to 520 MHz

系列:  AFT05MP075N

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP / Freescale

正向跨导 - 最小值:  7.3 S

通道数量:  2 Channel

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  500

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.1 V

零件号别名:  935317733528

单位重量:  1.635 g