型号:  AFT20P140-4WNR3

功能描述:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4

制造商:  NXP / Freescale

制造商:  NXP

产品种类:  射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  是

晶体管极性:  N-Channel

技术:  Si

Id-连续漏极电流:  500 mA

Vds-漏源极击穿电压:  65 V

增益:  17.8 dB

输出功率:  24 W

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 125 C

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  OM-780-4

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

配置:  Single

工作频率:  1880 MHz to 2025 MHz

系列:  AFT20P140_4WN

类型:  RF Power MOSFET

商标:  NXP / Freescale

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:  250

子类别:  MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:  0.6 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

零件号别名:  935323357528

单位重量:  3.192 g