型号: AFT20P140-4WNR3
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2GHz 24W OM780-4
制造商: NXP / Freescale
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Id-连续漏极电流: 500 mA
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
增益: 17.8 dB
输出功率: 24 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: OM-780-4
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
工作频率: 1880 MHz to 2025 MHz
系列: AFT20P140_4WN
类型: RF Power MOSFET
商标: NXP / Freescale
湿度敏感性: Yes
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 250
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 0.6 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
零件号别名: 935323357528
单位重量: 3.192 g
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