型号: ALD1121EPA
功能描述: MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
制造商: Advanced Linear Devices
产品种类： MOSFET
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 10 V
闸/源击穿电压： +/- 6.6 V
漏极连续电流： 3 mA
导通电阻： 500 Ohms
配置： Dual
最大工作温度： + 70 C
安装风格： Through Hole
封装 / 箱体： PDIP-8
商标： Advanced Linear Devices
最小工作温度： 0 C
功率耗散： 600 mW
系列： ALD1121EP
工厂包装数量： 50
单位重量： 483.600 mg
ROHS： 含铅
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