型号: AM2319P-T1
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.4A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.25W 类型:P沟道
制造商: VBsemi(台湾微碧)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 5.4A
栅源极阈值电压: 2V @ 250uA
漏源导通电阻: 55mΩ @ 4.4A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1.25W
类型: P沟道
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