型号: AOD9N40
功能描述:
制造商: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 400V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 16nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 760pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 125W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 800 毫欧 @ 4A，10V
工作温度： -50°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-252，（D-Pak）
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs： 10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：邓磊
电话：18826952105
Q Q:
联系人：黄先生
Q Q:
联系人：庄
Q Q:
