型号: APT40SM120B
功能描述: N Channel 1200 V 100 mO 273 W Silicon Carbide Power Mosfet - TO-247
制造商: Microsemi
FET类型： N 沟道
技术： SiCFET（碳化硅）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 41A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 20V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 1mA（标准）
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 130nC @ 20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2560pF @ 1000V
Vgs（最大值）： +25V，-10V
功率耗散（最大值）： 273W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 100 毫欧 @ 20A，20V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-247-3
封装形式Package： TO-247
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 1200V
连续漏极电流ID： 41A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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