型号: APT45GP120J
功能描述: IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
制造商: Microsemi
制造商: Microchip
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: SOT-227-4
安装风格: Chassis Mount
配置: N-Channel
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 3.3 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 34 A
Pd-功率耗散: 329 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tube
集电极最大连续电流 Ic: 75 A
高度: 9.6 mm
长度: 38.2 mm
工作温度范围: - 55 C to + 150 C
宽度: 25.4 mm
商标: Microchip / Microsemi
集电极连续电流: 75 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 1
子类别: IGBTs
商标名: POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
单位重量: 30 g
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