型号: APTM60H23FT1G
功能描述: Microsemi Power Products Group/分立半导体产品
制造商: Microsemi Power Products Group
标准包装: 1
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 模块
系列: -
包装: 散装
FET 类型: 4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 20A
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 276 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 165nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 5316pF @ 25V
功率 - 最大值: 208W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP1
供应商器件封装: SP1
其它名称: APTM60H23UT1GAPTM60H23UT1G-ND
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