型号: APTMC120AM12CT3AG
功能描述:
制造商: Microsemi
FET 类型： 2 N 沟道（相角）
FET 功能： 标准
漏源电压（Vdss）： 1200V（1.2KV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 220A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 12 毫欧 @ 150A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 30mA（标准）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 483nC @ 20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 8400pF @ 1000V
功率 - 最大值： 925W
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 底座安装
封装/外壳： SP3
供应商器件封装： SP3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：宋雨
电话：15210362397
Q Q:
联系人：戴先生
电话：13825289019
Q Q:
联系人：罗志坚
电话：13923482469
Q Q:
