型号: AUIRF1010EZS
功能描述: MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms
制造商: Infineon / IR
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 84 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 58 nC
最小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 140 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Tube
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon / IR
下降时间: 54 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 90 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
零件号别名: SP001516450
单位重量: 4 g
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