型号: AUIRF7665S2TR
功能描述: MOSFET 100V AUTO GRADE 1 N-CH HEXFET
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DirectFET-SB
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 14.4 A
Rds On-漏源导通电阻: 62 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 8.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 30 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.74 mm
长度: 4.85 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 3.95 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 8.8 S
下降时间: 3.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.4 ns
工厂包装数量: 4800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 7.1 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns
零件号别名: SP001519440
联系人:Alien
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
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