型号: BF 888 H6327
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: BF888
晶体管类型: Bipolar Power
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 250
集电极—发射极最大电压 VCEO: 4 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 13 V
集电极连续电流: 30 mA
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
类型: RF Bipolar Power
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 160 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: BF888H6327XT BF888H6327XTSA1 SP000745170
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