型号: BFP 640F E6327
功能描述: Transistors RF Silicon Germanium TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A
制造商: Infineon Technologies
封装： Reel
产品种类： Transistors RF Bipolar
晶体管极性： NPN
发射极 - 基极电压VEBO： 1.2 V
类型： RF Silicon Germanium
最大工作频率： 40000 MHz
安装风格： SMD/SMT
功率耗散： 200 mW
集电极 - 发射极最大电压VCEO： 4 V
最低工作温度： - 65 C
封装/外壳： TSFP
零件号别名： BFP640FE6327XT
配置： Single Dual Emitter
最高工作温度： + 150 C
RoHS： RoHS Compliant
连续集电极电流： 0.05 A
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