型号: BFP 640F E6327
功能描述: Transistors RF Silicon Germanium TRANS GP BJT NPN 4V 0.05A
制造商: Infineon Technologies
封装: Reel
产品种类: Transistors RF Bipolar
晶体管极性: NPN
发射极 - 基极电压VEBO: 1.2 V
类型: RF Silicon Germanium
最大工作频率: 40000 MHz
安装风格: SMD/SMT
功率耗散: 200 mW
集电极 - 发射极最大电压VCEO: 4 V
最低工作温度: - 65 C
封装/外壳: TSFP
零件号别名: BFP640FE6327XT
配置: Single Dual Emitter
最高工作温度: + 150 C
RoHS: RoHS Compliant
连续集电极电流: 0.05 A
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