型号: BFR 193F H6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BFR193F
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： RF 晶体管（BJT）
系列： -
包装： 带卷（TR）
晶体管类型： NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）： 12V
频率 - 跃迁： 8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）： 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益： 12.5dB
功率 - 最大值： 580mW
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）： 70 @ 30mA，8V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）： 80mA
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-723
供应商器件封装： PG-TSFP-3
其它名称： BFR 193F H6327-NDBFR193FH6327XTSA1SP000750424
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