型号: BFR 193W H6327
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: BFR193
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 70
集电极—发射极最大电压 VCEO: 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V
集电极连续电流: 80 mA
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-323
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
工作频率: 900 MHz
类型: RF Bipolar Small Signal
商标: Infineon Technologies
最大直流电集电极电流: 80 mA
Pd-功率耗散: 580 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
零件号别名: BFR193WH6327XT BFR193WH6327XTSA1 SP000734404
单位重量: 60 mg
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