型号: BFR740L3RHE6327XTSA1
功能描述: 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 是
系列: BFR740L3
晶体管类型: Bipolar
技术: SiGe
晶体管极性: NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min: 160
集电极—发射极最大电压 VCEO: 4 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 1.2 V
集电极连续电流: 40 mA
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSLP-3
封装: Cut Tape
封装: Reel
工作频率: 40 GHz
商标: Infineon Technologies
Pd-功率耗散: 160 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 15000
子类别: Transistors
零件号别名: 740L3RH BFR BFR74L3RHE6327XT E6327 SP000252393
单位重量: 0.500 mg
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