型号:  BFU630F,115

功能描述:  BFU630 Series 5.5 V 30 mA Gain NPN Wideband Silicon RF Transistor - SOT-343F-4

制造商:  NXP Semiconductors

晶体管类型：  NPN

电压-集射极击穿（最大值）：  5.5V

频率-跃迁：  21GHz

噪声系数（dB，不同f时的典型值）：  0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

增益：  13dB ~ 22.5dB

功率-最大值：  200mW

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  90 @ 5mA，2V

电流-集电极（Ic）（最大值）：  30mA

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  4-DFP

电压 - 集射极击穿（最大值）：  5.5V

频率 - 跃迁：  21GHz

噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：  0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

功率 - 最大值：  200mW

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  90 @ 5mA，2V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  30mA

封装/外壳：  SOT-343F

供应商器件封装：  4-DFP

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs