型号: BLF145
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 BULK TNS-RFPR
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
Id-连续漏极电流: 6 A
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 750 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : +/- 20 V
最大工作温度: + 200 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-123A
封装: Tube
商标: NXP Semiconductors
最小工作温度: - 65 C
Pd-功率耗散: 68 W
工厂包装数量: 20
零件号别名: BLF145,112
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：王俊杰
电话：18818598465
Q Q:
联系人：曾鹏
电话：15675451476
Q Q:
联系人：朱艳芳
电话：13316472769
Q Q:
联系人：贾欢
电话：15976887045
Q Q:
