型号: BLF178XR112
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 3-128MHz 110V 28dB
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 40 mA
Vds-漏源极击穿电压: 110 V
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs-栅源极击穿电压 : 11 V
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-539A-5
封装: Tube
商标: NXP Semiconductors
工厂包装数量: 60
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：廖先生，连敏妹
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Q Q:
联系人：杨丹妮
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联系人：柯先生
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联系人：祝小姐
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联系人：唐小姐，朱先生
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联系人：牛小姐
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联系人：林艳，朱先生
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联系人：罗新华
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