型号: BLS6G2731(S)-120
功能描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LDMOS TNS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 33 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 135 mOhms
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vgs-栅源极击穿电压 : 13 V
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT502B
封装: Tube
最小工作温度: - 65 C
工厂包装数量: 20
类型: RF Power MOSFET
零件号别名: BLS6G2731S-120,112
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13652405995
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13631261606
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13332931905
Q Q:
联系人：唐工
电话：15980703110
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13310877445
Q Q:
联系人：可乔
电话：18565707557
Q Q:
