型号:  BSB008NE2LXXT

功能描述:  MOSFET N-Ch 25V 180A CanPAK-2 MX OptiMOS

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  WDSON-2-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  25 V

Id-连续漏极电流:  180 A

Rds On-漏源导通电阻:  600 uOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  343 nC

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  89 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

商标名:  OptiMOS

封装:  Reel

高度:  0.7 mm

长度:  6.35 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.05 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  120 S

下降时间:  32.4 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  47.2 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  75 ns

典型接通延迟时间:  12.6 ns

零件号别名:  BSB008NE2LXXUMA1 SP000880866