型号:  BSC12DN20NS3 G

功能描述:  MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TDSON-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  200 V

Id-连续漏极电流:  11.3 A

Rds On-漏源导通电阻:  108 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  8.7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  50 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.27 mm

长度:  5.9 mm

系列:  BSC12DN20

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  5.15 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  6 S

下降时间:  3 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  10 ns

典型接通延迟时间:  6 ns

零件号别名:  BSC12DN20NS3GATMA1 BSC12DN2NS3GXT SP000781774