型号: BSC190N12NS3G
功能描述: MOSFET N-Ch 120V 44A TDSON-8 OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: 44 A
Vds-漏源极击穿电压: 120 V
Rds On-漏源导通电阻: 19 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 26 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 45 S, 23 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 16 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: BSC190N12NS3GATMA1 BSC190N12NS3GXT SP000652752
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