型号: BSH111,215
功能描述:
制造商: Nexperia
系列： TrenchMOS™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 335mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.8V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.3V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 1nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 40pF @ 10V
Vgs（最大值）： ±10V
功率耗散（最大值）： 830mW（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 4 欧姆 @ 500mA，4.5V
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装形式Package： TO-236AB
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 55V
连续漏极电流ID： 0.335A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：Alien
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13544084106
Q Q:
联系人：李先生,张女士
电话：18819028796
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13670205476
Q Q:
