型号: BSM150GAR120DN2
功能描述: 150A1200V2UIGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
在25 C的连续集电极电流: 150 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 1.25 KW
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: IS6a ( 62 mm )-5
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 500
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