型号: BSM75GAR120DN2
功能描述: IGBT 晶体管 1200V 100A GAR CH
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: IS4 (34 mm )-5
安装风格: Chassis Mount
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 100 A
Pd-功率耗散: 625 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 94 mm
宽度: 34 mm
商标: Infineon Technologies
集电极连续电流: 105 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: BSM75GAR120DN2HOSA1 SP000100462
单位重量: 154.120 g
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