型号: BSO080P03NS3E G
功能描述: MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 14.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
Qg-栅极电荷: - 61 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
系列: OptiMOS 3P3
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 3.9 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 44 S
下降时间: 19 ns
湿度敏感性: Yes
产品类型: MOSFET
上升时间: 47 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 64 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
零件号别名: BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO8P3NS3EGXT SP000472992
单位重量: 540 mg
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