型号:  BSO080P03NS3E G

功能描述:  MOSFET P-Ch -30V -14.8A DSO-8 OptiMOS 3P3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  14.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  - 61 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.5 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.75 mm

长度:  4.9 mm

系列:  OptiMOS 3P3

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  3.9 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  44 S

下降时间:  19 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  47 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  64 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

零件号别名:  BSO080P03NS3EGXUMA1 BSO8P3NS3EGXT SP000472992

单位重量:  540 mg