型号:  BSO612CV G

功能描述:  MOSFET N and P-Ch 60V 3A, -2A DSO-8

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Id-连续漏极电流:  3 A

Rds On-漏源导通电阻:  120 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  SIPMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.75 mm

长度:  4.9 mm

系列:  BSO612

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:  3.9 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  1.2 S

下降时间:  30 ns, 95 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  35 ns, 60 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  25 ns, 145 ns

典型接通延迟时间:  12 ns, 15 ns

零件号别名:  BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307

单位重量:  540 mg