型号: BSO615CG
功能描述: MOSFET N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 3.1 A, - 2 A
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms, 270 mOhms
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DSO-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Dual Dual Drain
下降时间: 18 ns, 90 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 75 ns, 105 ns
系列: BSO615
工厂包装数量: 2500
商标名: SIPMOS
典型关闭延迟时间: 25 ns, 125 ns
典型接通延迟时间: 16 ns, 24 ns
零件号别名: BSO615CGHUMA1 BSO615CGXT SP000216311
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