型号: BSS209PWH6327
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：630mA(Tc) 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1.2V @ 3.5uA 漏源导通电阻：550mΩ @ 630mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 630mA(Tc)
栅源极阈值电压: 1.2V @ 3.5uA
漏源导通电阻: 550mΩ @ 630mA,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 300mW
类型: P沟道
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