型号: BSS225
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 90mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 45 欧姆 @ 90mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 94µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 5.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 131pF @ 25V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-243AA
供应商器件封装： PG-SOT89-4
其它名称： BSS225TSP000017502
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：田德光
电话：181-26040415
Q Q:
联系人：陈R
Q Q:
联系人：詹小姐
电话：13537778784
Q Q:
