型号:  BSZ086P03NS3EGATMA1

功能描述:  Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSZ086P03NS3EGATMA1, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  13.5A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.1V @ 105µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  57.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  4785pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  2.1W（Ta），69W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  8.6 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TSDSON-8

封装/外壳：  PG-TSDSON-8

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  40 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  13.4 m0hms

最大栅阈值电压：  1.9V

最小栅阈值电压：  3.1V

最大栅源电压：  -25 V、+25 V

封装类型：  TSDSON

引脚数目：  8

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  69 W

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +150 °C

每片芯片元件数目：  1

长度：  3.4mm

高度：  1.1mm

系列：  OptiMOS P

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  43.2 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  3190 pF @ -15 V

典型关断延迟时间：  35 ns

典型接通延迟时间：  16 ns

尺寸：  3.4 x 3.4 x 1.1mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs