型号:  BSZ15DC02KD H

功能描述:  MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSDSON-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  5.1 A, 3.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  41 mOhms, 97 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV, 1.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  2.8 nC, - 4.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  2.5 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  3.3 mm

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:  3.3 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  5.5 S, 3.4 S

下降时间:  1.4 ns, 4.7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  2 ns, 3.7 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  12.2 ns, 11.3 ns

典型接通延迟时间:  4.9 ns, 7.4 ns

零件号别名:  BSZ15DC02KDHXTMA1 SP000961028