型号: BSZ160N10NS3G
功能描述: MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 8 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.1 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 10 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: BSZ160N10NS3GATMA1 BSZ160N10NS3GXT SP000482390
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13360063783
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：胡先生
电话：021-54888166
Q Q:
联系人：吴先生，刘先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：江新生
Q Q:
