型号:  BUK9E08-55B,127

功能描述:  MOSFET Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3Pin(3+Tab)

制造商:  Nexperia

制造商:  Nexperia

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  Through Hole

封装 / 箱体:  TO-262-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  55 V

Id-连续漏极电流:  110 A

Rds On-漏源导通电阻:  8.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  15 V

Qg-栅极电荷:  45 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 175 C

Pd-功率耗散:  203 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Tube

高度:  9.4 mm

长度:  10.3 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  N-Channel TrenchMOS Logic Level FET

宽度:  4.5 mm

商标:  Nexperia

下降时间:  86 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  123 ns

工厂包装数量:  50

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  131 ns

典型接通延迟时间:  29 ns

单位重量:  2.387 g