型号:  BUZ30AH3045AATMA1

功能描述:  Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30AH3045AATMA1, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  4V @ 1mA

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1900pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

功率耗散（最大值）：  125W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  130 毫欧 @ 13.5A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TO263-3

封装/外壳：  PG-TO263-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  21 A

最大漏源电压：  200 V

最大漏源电阻值：  130 m0hms

最大栅阈值电压：  4V

最小栅阈值电压：  2.1V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  D2PAK (TO-263)

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  125 W

长度：  10.31mm

高度：  4.57mm

尺寸：  10.31 x 9.45 x 4.57mm

最低工作温度：  -55 °C

系列：  SIPMOS

晶体管材料：  Si

典型输入电容值@Vds：  1400 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：  250 ns

典型接通延迟时间：  30 ns

每片芯片元件数目：  1

最高工作温度：  +150 °C

宽度：  9.45mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs