型号: C3M0021120D
功能描述: 1200V, 21 MOHM, G3 SIC MOSFET
制造商: Cree/Wolfspeed
包装: 管件
系列: C3M™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 28，8 毫欧 @ 50A, 15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3，6V @ 17，7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 160nC @ 15V
Vgs（最大值）: +15V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 4818pF @ 1000V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 469W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
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