型号: C3M0075120J-TR
功能描述: 1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON
制造商: Cree/Wolfspeed
包装: 标准卷带
系列: C3M™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）: 1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 15V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 90 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 51nC @ 15V
Vgs（最大值）: +15V，-4V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1350pF @ 1000V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 113.6W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：13590991023
Q Q:
联系人：刘子书
Q Q:
联系人：洪
电话：13652309457
Q Q:
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13510508629
Q Q:
联系人：刘波
Q Q:
