型号: C3M0075120J-TR
功能描述: 1200V, 75 MOHM, G3 SIC MOSFET ON
制造商: Cree/Wolfspeed
包装: 标准卷带
系列: C3M™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss): 1200V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): 90 毫欧 @ 20A,15V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 5mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): 51nC @ 15V
Vgs(最大值): +15V,-4V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 1350pF @ 1000V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 113.6W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263-7
封装/外壳: TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
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