型号: CDM22010-650
功能描述: MOSFET 650Vds 30Vgs 10A 40A 8.0nC 0.88Ohm
制造商: Central Semiconductor
制造商: Central Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 156 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Bulk
系列: CDM22010
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Central Semiconductor
下降时间: 36 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 33 ns
工厂包装数量: 400
子类别: MOSFETs
零件号别名: CDM22010-650 PBFREE
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