型号:  CGHV1F025S

功能描述:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt

制造商:  Wolfspeed / Cree

制造商:  Cree, Inc.

产品种类:  射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

发货限制：  Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

RoHS:  是

晶体管类型:  HEMT

技术:  GaN SiC

增益:  11 dB

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Vgs-栅源极击穿电压 :  - 10 V to 2 V

Id-连续漏极电流:  2 A

输出功率:  25 W

最大漏极/栅极电压:  -

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  -

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DFN-12

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

应用:  -

配置:  Single

高度:  0.9 mm

长度:  4 mm

工作频率:  15 GHz

工作温度范围:  - 40 C to + 150 C

产品:  GaN HEMT

类型:  GaN SiC HEMT

宽度:  3 mm

商标:  Wolfspeed / Cree

正向跨导 - 最小值:  -

闸/源截止电压:  -

类:  -

开发套件:  CGHV1F025S-TB

下降时间:  -

湿度敏感性:  Yes

NF—噪声系数:  -

P1dB - 压缩点:  -

产品类型:  RF JFET Transistors

Rds On-漏源导通电阻:  -

上升时间:  -

工厂包装数量:  250

子类别:  Transistors

典型关闭延迟时间:  -

Vgs th-栅源极阈值电压:  - 3 V