型号: CSD25201W15
功能描述: Texas Instruments/分立半导体产品
制造商: Texas Instruments
产品培训模块： NexFET MOSFET Technology
视频文件： NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： NexFET??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 4A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 40 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 5.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 510pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 9-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装： 9-DSBGA
其它名称： 296-27609-2
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
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联系人：杨先生
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联系人：林炜东，林俊源
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联系人：黄
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联系人：余先生，张先生
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