型号: CSD25303W1015
功能描述: Texas Instruments/分立半导体产品
制造商: Texas Instruments
产品培训模块： NexFET MOSFET Technology
视频文件： PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： NexFET??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 58 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 4.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 435pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-UFBGA，DSBGA
供应商器件封装： 6-DSBGA（1x1.5）
其它名称： 296-28317-2
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈先生
电话：17665206715
Q Q:
联系人：刘波
Q Q:
联系人：姚小姐
电话：14774935925
Q Q:
