型号: CSD25302Q2
功能描述: Texas Instruments/分立半导体产品
制造商: Texas Instruments
产品培训模块: NexFET MOSFET Technology
视频文件: NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: NexFET??
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 5A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 49 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 3.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 350pF @ 10V
功率 - 最大值: 2.4W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 6-SON
其它名称: 296-25444-2
联系人:韩雪
电话:18124047120
联系人:肖瑶,树平
电话:17318082080
联系人:曾舒媚
联系人:李先生
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