型号: CSD25302Q2
功能描述: Texas Instruments/分立半导体产品
制造商: Texas Instruments
产品培训模块： NexFET MOSFET Technology
视频文件： NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： NexFET??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 49 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 3.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 350pF @ 10V
功率 - 最大值： 2.4W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-SMD，扁平引线
供应商器件封装： 6-SON
其它名称： 296-25444-2
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：廖先生
电话：13926543930
Q Q:
联系人：彭
电话：19397987461
Q Q:
联系人：胡先生
电话：13715371551
Q Q:
联系人：张博
电话：13066839225
Q Q:
