型号:  CSD85312Q3E

功能描述:  MOSFET Dual 20V N-CH Pwr MOSFETs

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  VSON-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  12 A

Rds On-漏源导通电阻:  14 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  11.7 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.5 W

配置:  Dual

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1 mm

长度:  3.3 mm

系列:  CSD85312Q3E

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  3.3 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  99 S

下降时间:  6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  27 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  24 ns

典型接通延迟时间:  11 ns

单位重量:  32 mg