型号:  CSD86311W1723

功能描述:  MOSFET Dual N-Channel Nex FET Pwr MOSFET

制造商:  Texas Instruments

制造商:  Texas Instruments

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DSBGA-12

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  25 V

Id-连续漏极电流:  5 A

Rds On-漏源导通电阻:  42 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  3.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.5 W

配置:  Dual

商标名:  NexFET

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.62 mm

长度:  2.32 mm

系列:  CSD86311W1723

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  1.74 mm

商标:  Texas Instruments

正向跨导 - 最小值:  6.4 S

下降时间:  2.9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  4.3 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  13.2 ns

典型接通延迟时间:  5.4 ns

单位重量:  4.100 mg