型号: CTLDM7120-M621H TR
功能描述: 20v,1a, .17ohms, TLM621H
制造商: Central Semiconductor
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 1A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.5V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 2.4nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 220pF @ 10V
Vgs（最大值）： 8V
功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 100 毫欧 @ 500mA，4.5V
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-XFDFN 裸露焊盘
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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