型号: CTLDM7120-M832DS TR
功能描述:
制造商: Central Semiconductor
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 1A（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 100 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 220pF @ 10V
功率 - 最大值： 1.65W
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装： TLM832DS
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：欧阳先生
电话：18948794636
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：全小姐
Q Q:
联系人：曾先生
电话：15019463752
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18126328660
Q Q:
联系人：庄小姐
Q Q:
