型号: DGD21904S14-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
驱动配置： 半桥
通道类型： 独立式
驱动器数： 2
栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET
电压-电源： 10 V ~ 20 V
逻辑电压 -VIL，VIH： 0.8V，2.5V
电流-峰值输出（灌入，拉出）： 4.5A，4.5A
输入类型： 非反相
高压侧电压-最大值（自举）： 600V
上升/下降时间（典型值）： 25ns，20ns
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 14-SO
无铅情况/RoHs： 否
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
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联系人：林炜东，林俊源
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联系人：蔡小姐
电话：18129819897
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联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
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联系人：庄小姐
电话：15012884847
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联系人：李龙
电话：14707674267
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联系人：汤月凤，邱苏芬
电话：13924654970
Q Q:
