型号: DMG1016VQ-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： N 和 P 沟道
FET 功能： 逻辑电平门
漏源电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 870mA，640mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 60.67pF @ 16V
功率 - 最大值： 530mW
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： SOT-563，SOT-666
供应商器件封装： SOT-563
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：李先生
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