型号: DMG1016VQ-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 870mA,640mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 60.67pF @ 16V
功率 - 最大值: 530mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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