型号: DMG1023UVQ-13
功能描述: MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 有源
FET 类型: 2 个 P 沟道（双）
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.03A（Ta）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 750 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 622pC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 59pF @ 16V
功率 - 最大值: 530mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563，SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
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